射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性

摘要：

利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向的氧化锌薄膜,用波长为300nm的光激发,观察到在446nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁.并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响,且给出了解释.

关键词：ZnO薄膜、磁控溅射、光致发光

所属期刊栏目：24

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60076006;高等学校博士学科点专项科研项目2000042204

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：69-72