ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响

摘要：

研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响.当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时,从X射线衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)中可见,ZnSe(111)膜的晶体质量有较大的变化.变温的PL谱表明,Si衬底上生长的具有ZnO缓冲层的ZnSe膜的近带边发射峰起源于自由激子发射.

关键词：硒化锌薄膜、Si衬底、ZnO缓冲层、LP-MOCVD

所属期刊栏目：24

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家攀登计划;国家自然科学基金69896260;中国科学院知识创新工程项目;中国科学院"百人计划"

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：61-65