10.3321/j.issn:1000-7032.2000.02.005
多孔硅的表面碳膜钝化
报道对多孔硅(PS)进行碳膜(CF)钝化处理的结果.红外吸收光谱表明,经钝化处理样品的表面由Si-C、Si-N和Si-O键所覆盖;荧光光谱表明,经钝化处理的样品较未处理的样品发光强度提高4~4.5倍,且发光峰位明显蓝移;存放实验显示,经钝化处理的样品发光强度稳定、发光峰位不变.这些结果表明,正丁胺可以在多孔硅表面形成优良的钝化碳膜,是一种十分有效的多孔硅后处理途径.
多孔硅、碳膜、表面钝化、荧光光谱
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O472.1(半导体物理学)
浙江省湖州市自然科学基金98JJY2047
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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104-108