含纳米硅粒二氧化硅薄膜的光致发光研究

摘要：

采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径.同时对样品测量了光致发光谱,比较其发光峰位分别位于361nm和430nm,发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移,并对其发光机理进行初步讨论.

关键词：磁控溅射、纳米硅、光致发光

所属期刊栏目：28

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2007-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：37-41