含纳米硅薄膜发光的QCLC理论的研究

摘要：

本文阐述了含纳米硅薄膜发光的QCLC模型机理,即光激发仍然发生在纳米硅粒子内部,而辐射复合则发生在纳米硅粒子的表面或外部(氧化层)的发光中心上.探讨单个纳米硅粒子的内外部复合过程中的电子占据率和纳米硅粒子系综的有效复合率.

关键词：纳米硅、QCLC、复合过程

所属期刊栏目：28

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2007-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：9-12