三端微波器件专利申请态势分析

摘要：

对微波器件中的主要三端微波器件(包括HBT、HEMT、MESFET)在全球范围内的相关专利申请进行了统计,着重对主要申请人、申请国和审查国的专利申请分布进行了静态分析,并使用时间序列分析法对主要申请人、申请国和审查国历年的专利申请分布状况进行动态分析,最终给出了国内相关产业发展的建议.

关键词：微波器件、专利申请人、申请国、审查国

分类号：G64;G25

在线出版日期：2008-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：58-61,66