硅片非接触式载流子寿命测量

摘要：

本文旨在提出硅光伏非接触式载流子寿命测量的基本框架,记录了由多家研究机构,制造商和院校使用不同设备的试验结果比较得出的一套方法.按照设备的物理条件描述寿命测量过程,以物理过剩的载流子寿命和载流子密度为重点构成任意寿命测量的基础,提出标准的分析方法.寿命测量的常用诠释是确定表面复合速度,发射极饱和电流密度,描述大量载流子的存活时间.本文结果适用于任何可以论证样品内超额载流子密度测量数据校正的寿命测量技术.

机标关键词：载流子密度、饱和电流密度、表面复合速度、存活时间、数据校正、测量技术、制造商、密度测量、基本框架、试验结果

分类号：TN305.7;TM914.4;O493.4

在线出版日期：2010-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：39-42