低温1.5-4.5GHz超低噪声放大器

摘要：

@@ InP基高电子迁移率晶体管(HEMTs)具有极其优秀的低噪声性能和更佳的高频性能[1-4].由于在InGaAs层中载流子的迁移率和电流都很高,所以漏源极电压能够保持低电位.HEMT技术在低温时也并没有遭遇排斥.在InGaAs层中,掺杂物的游离能很低,电子存在于高能带隙材料的施主能级下的能量量子阱中.因此,对于高增益的微波运转,即便在低温条件下也能得到充足的载流子浓度.

机标关键词：低噪声放大器、超低噪声

分类号：TN722.3;TN818;TN432

在线出版日期：2010-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：22-24