一种采用CMOS 0.18μm制造的带EBG结构小型化的片上天线

摘要：

采用标准0.18μm CMOS工艺设计制造了一种带EBG (电磁带隙)结构的小型化片上天线.该片上天线由一根长1.6 mm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240 μm×340 μm EBG结构构成.分别对该EBG结构以及片上天线的S11及S21进行了仿真和测试,结果表明该片上天线工作在20 GHz,具有小型化的性能,同时具备三次谐波抑制的功能.

关键词：片上天线、CMOS、EBG

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在线出版日期：2013-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：60-62