一种SOI nLDMOS的开态特性设计

摘要：

介绍了一种用于高压电平位移电路的SOI nLDMOS器件结构,对其漂移区、sink区、buffer区及场板等结构参数进行器件工艺联合仿真,并分析相关结构参数对开态特性的影响,用于指导高压MOS器件尤其是基于SOI的横向MOS器件的开态特性设计.采用优化的参数,器件关态击穿电压为296 V,开态击穿电压为265 V,比导通电阻为60.9 mΩ· cm2.

关键词：绝缘体上的硅SOI、高压器件、开态特性、比导通电阻

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在线出版日期：2013-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：39-42