10.3969/j.issn.1563-4795.2012.02.009
CMOS带隙基准源温度补偿的研究
在模拟和混合集成电路中,CMOS带隙基准源是应用广泛的重要单元,针对温度补偿对基准源性能的影响,本文从介绍CMOS带隙基准源的基本原理出发,分析了一阶补偿、二阶补偿以及更高阶补偿的CMOS带隙基准电路结构.
温度补偿、带隙基准源、精度
14
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2012-04-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
34-36,52
10.3969/j.issn.1563-4795.2012.02.009
温度补偿、带隙基准源、精度
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
2012-04-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
34-36,52
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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