绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(二)

摘要：

(上接第10期第56页)3.5 IGBT的结电容特性在IGBT芯片中,各个不同电极之间都有一定的寄生电容存在,IGBT的等效结电容如图13所示.其中,Cies是指栅极与发射极之间的输入电容;Coes是指集电极与发射极之间的输出电容;Cres是指集电极与栅极之间的反向传输电容.这些电容的大小对驱动电路和缓冲电路的设计都非常重要.图14所示为某型号IGBT结电容的特性曲线.由图中可以看出,随着驱动电阻的增加,IGBT的等效寄生电容有减小的趋势.

机标关键词：绝缘栅双极型晶体管、结电容、IGBT、寄生电容、集电极、发射极、栅极、特性曲线、输出电容、驱动电阻、驱动电路、缓冲电路、反向传输、电容特性、芯片、输入、设计

分类号：TN322.8(半导体技术)

在线出版日期：2012-03-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：54-57,60