咆力咆子器件知识讲座(七)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(一)

摘要：

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是由功率MOSFET和GTR复合而成的一种具有电压控制的双极型自关断器件.GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大,驱动电路复杂;功率MOSFET驱动功率小,驱动电路简单,开关速度快,但导通压降大,载流密度小.IGBT综合了GTR和功率MOSFET的优点,具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、饱和压降低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用.

机标关键词：自关断器件、知识讲座、绝缘栅双极型晶体管、驱动功率、MOSFET、Bipolar Transistor、驱动电路、开关速度、饱和压降、流密度、GTR、输入阻抗、驱动电流、控制电路、电压控制、电力变换、导通压降、IGBT、耐高压、综合

分类号：TN322.8(半导体技术)

在线出版日期：2012-03-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：52-56