F-离子注入实现的AIGaN/GaN增强型HEMT器件特性的模型分析

摘要：

文中针对当前通过在AlGaN层进行F-离子注入这种实现AlGaN/GaN增强型HEMT器件的重要方法,建立其数值模型.对该方法F-起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释,对该方法的实现过程中的关键F-离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析,得到了具有指导意义的结果.为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导.

关键词：F-注入、增强型HEMT、数值模拟

所属期刊栏目：13

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2012-02-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：21-23,26