应用于负电源的电平位移电路及器件设计

摘要：

本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路.实现从O～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转换.分析了该电路的结构和工作原理.基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件.分析了器件的工作状态以及耐压机理,并利用工艺器件联合仿真对器件的电学特性进行了优化设计.

关键词：电平位移、薄膜SOI、LDMOS、负电源、开态击穿电压

所属期刊栏目：13

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2011-12-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：32-36