10.3969/j.issn.1563-4795.2011.04.011
一种可实现多种高压器件的新型BCD工艺
在标准CMOS平台上,开发出一种自隔离的新型BCD中艺.利用场氧层的阻挡,通过高能注入直接形成高压器件的表面P型降场层,从而减少了所需掩模板数量.该工艺也采用了深N阱的高能离子注入及多步注入形成的倒置阱,可减少长时间热过程带来的工艺偏差和时间成本.结果表明,该工艺在实现器件性能的同时,降低了成本,提高了可靠性.
RESURF、LDMOS、多区JFET、BCD工艺
13
TN3;TN4
2011-07-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
31-33,58