期刊专题

10.3969/j.issn.1563-4795.2011.04.011

一种可实现多种高压器件的新型BCD工艺

引用
在标准CMOS平台上,开发出一种自隔离的新型BCD中艺.利用场氧层的阻挡,通过高能注入直接形成高压器件的表面P型降场层,从而减少了所需掩模板数量.该工艺也采用了深N阱的高能离子注入及多步注入形成的倒置阱,可减少长时间热过程带来的工艺偏差和时间成本.结果表明,该工艺在实现器件性能的同时,降低了成本,提高了可靠性.

RESURF、LDMOS、多区JFET、BCD工艺

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TN3;TN4

2011-07-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

31-33,58

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电子元器件应用

1563-4795

N陕新出印9621

13

2011,13(4)

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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

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