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10.3969/j.issn.1563-4795.2011.02.011

高频条件下IGBT驱动电路的设计与仿真

引用
文中对大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)的开关特性、驱动要求进行了分析和讨论,介绍了一种高频条件下实用的IGBT驱动电路,并通过理论分析和仿真波形说明了该驱动电路的有效性和适用性.

高频、绝缘门极双极型晶体管、驱动电路、IGBT

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P5 ;TN3

2011-06-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

38-40

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电子元器件应用

1563-4795

N陕新出印9621

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2011,13(2)

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