基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS设计

摘要：

文中针对高压节能应用领域,开发了一种基于超薄外延技术的双扩散BCD兼容工艺,实现了一种新型D-RE5URF结构的700V LDMOS设计.结构中N型外延的厚度减小为4.Sμm,漂移区长度缩减至70μm,使得芯片面积和制造成本大幅减小.并通过仿真设计,优化了器件结构的表面电场分布,使反向击穿电压达到700V的同时,使器件导通电阻降为33Ω· mm2.流片结果表明,功率管可以达到设计要求.

关键词：超薄外延、D-RESURF、双阱 高压LDMOS、VLD

所属期刊栏目：13

分类号：TN3;TN4

在线出版日期：2011-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：10-13