英飞凌推出改进型第三代碳化硅肖特基二极管新产品

摘要：

@@ 率先推出碳化硅(SiC)肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上推出第三代thinQ!删SiC肖特基二极管.全新thjnQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本.

机标关键词：改进型、第三代、碳化硅肖特基二极管、科技股份有限公司、功率半导体、系统成本、负载条件、开关频率、额定电流、电源转换、展览会、供应商、SiC、效率、器件、电子、电容、APEC

所属期刊栏目：11

分类号：TN6;TN8

在线出版日期：2009-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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