功率MOSFET的封装失效分析

摘要：

在半导体器件的生产工艺过程中,MOSFET器件的芯片结构不同于普通晶体管,而且,MOSFET器件对后道装配的要求也较高,文中从生产实际出发,对功率MOSFET器件在测试中出现的不良品进行了分析,并对其失效机理和影响因素进行了探讨,最后提出了相应的改进措施.

关键词：MOSFET、封装、失效机理

所属期刊栏目：10

分类号：TP3(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2008-04-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：78-80