基于SiGe异质结的双极型晶体管设计
为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障.
微波集成电路、SiGe异质结双极晶体管(HBT)、器件参数、带宽
9
2000-01-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
72-75
微波集成电路、SiGe异质结双极晶体管(HBT)、器件参数、带宽
9
2000-01-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
72-75
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn