CMOS带隙基准电压源的设计

摘要：

给出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺设计的新型高性能带隙基准电压源的设计方法,该方法采用高增益两极运算放大器结构来降低失调电压.文中给出了采用Cadence软件进行电路设计、电路仿真以及版图设计、版图仿真的具体做法.

关键词：CMOS模拟电路、带隙基准电压源、电压稳定性、温度特性

所属期刊栏目：9

分类号：TM91

在线出版日期：2008-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：54-56,59