磷吸杂工艺研究
磷吸杂在晶体管芯片制造过程中对改善芯片表面态、减少漏电流等起着重要作用.文中确定了方块电阻为6-8Ω/□(欧姆/方块)的磷吸杂工艺条件,并对过程的相关影响因素进行分析和探讨,同时提出了解决方法.
磷吸杂、晶体管、芯片制造、工艺
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TM5(电器)
2008-03-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
79-80
磷吸杂、晶体管、芯片制造、工艺
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TM5(电器)
2008-03-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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