一种低压低温度系数带隙基准电路设计

摘要：

介绍了一种工作在3.3 V电压下,适合于标准CMOS工艺的新型带隙基准电路.由于传统的带隙基准电路是利用三极管的短接电压VBE与热电压VT和kT/q乘积的和产生的.因此其VREF大约为1.25 V,这就限制了低于1 V的带隙输出电压.而新型带隙基准电路的输出电压大约为695 mV,并可方便地减小或者增大.新型电路的输出电压在190℃的温度范围内的变化值只有1.5 mV,它的温度系数大约只有8 ppm/℃.

关键词：带隙基准、低压、低温度系数、基准电路

所属期刊栏目：9

分类号：TP3(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2008-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：46-48,52