二氧化硅上的铝金属化层失效模式分析

摘要：

主要从SiO2的质量、铝金属化质量、电应力和热应力等诸多因素出发分析SiO2表面上铝金属化层的失效模式.

关键词：二氧化硅、金属化、失效模式

所属期刊栏目：5

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2007-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：52-53