厚胶光刻工艺技术

摘要：

通过对Ma-p100正性厚胶光刻技术的研究,初步解决了厚胶工艺易出现的胶的均匀性问题,厚胶长时间曝光工艺,用普通曝光机获得了厚度为60μm,分辨率为20μm的厚胶图形.

关键词：光刻、抗蚀剂、工艺

所属期刊栏目：5

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2007-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：37-38