Sb2O3和In2O3对ZnO压敏电阻器性能的影响

摘要：

研究了Sb2O3和In2O3对ZnO压敏电阻器性能的影响.适当添Sb2O3和In2O3可全面提高ZnO压敏电阻器的性能,使其击穿电场强度达326V/mm,漏电流小于1μA,非线性系数α值达107,通流量高达4kA/cm2.

关键词：ZnO压敏电阻、非线性系数、漏电流、击穿电场强度

所属期刊栏目：4

分类号：TM546(电器)

在线出版日期：2007-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：17-18