用于移动通信的砷化镓高频PHEMT小功率晶体管

摘要：

砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率增益高等特点.我们研制的0.5μm栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于13V,在20GHz下最大可用增益为8dB,X波段输出功率为0.8W/mm,可应用于22GHz以下的窄带功率放大器和18GHz以下的宽带功率放大器.

关键词：砷化镓、赝配结构高电子迁移率晶体管、功率晶体管

所属期刊栏目：4

分类号：TN323+.4(半导体技术)

在线出版日期：2007-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：17-18,33