碳化硅器件及其应用

摘要：

作为宽带半导体材料的SiC及其器件制造技术近年来得到迅速发展.与其它半导体材料相比,SiC独特的热特性和电特性,在功率和频率性能方面具有很高的品质因数.SiC还适应高温和辐射环境.本文主要叙述SiC材料的特性、器件制作技术及其应用.

关键词：碳化硅、半导体器件

所属期刊栏目：3

分类号：TN304.2+4(半导体技术)

在线出版日期：2007-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：19-23,28