利用新一代功率MOSFET--QFET 改进开关电源的性能
新型功率MOSFET--QFET带有低通态电阻和栅极电荷.利用MOSFET--QFET开关能够提高开关电源的效率.
新型功率、MOSFE、QFET
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TN386(半导体技术)
2007-07-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
35-37
新型功率、MOSFE、QFET
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TN386(半导体技术)
2007-07-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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