不同提拉与旋转速度条件下单晶硅晶体生长温度场模拟

摘要：

本文采用有限元软件模拟了直径200mm单晶硅生长过程中不同旋转、提拉速度下晶体的温度场的分布规律,为硅单晶CZ生长的工艺优化提供参考.实验发现随着拉速的增大,坩埚中熔体的温度梯度产生了明显的变化.坩埚壁处温度较高,固液界面下方温度较低,随着拉速的增大,坩埚壁处的高温区域逐渐减小,固液界面下方的低温区逐渐增大且温度梯度降低.当转速较小时,硅熔体与晶体的温度梯度较大.随着转速的增大,硅熔体与晶体的温度梯度逐渐降低.

关键词：单晶硅、提拉与旋转、有限元模拟、温度场

所属期刊栏目：7

分类号：TP216(自动化技术及设备)

在线出版日期：2023-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：62-65