不同条件下单晶硅片磨抛过程中的应力应变模拟

摘要：

为了对单晶硅片的最优磨抛工艺提供理论指导,采用有限元软件对单晶硅片磨抛工艺进行仿真分析.采用有限元模拟仿真软件对直径200mm硅片磨抛工艺过程进行了模拟仿真研究,考查了磨抛工艺过程中的转动速度和磨抛颗粒度(摩擦系数)对硅片表面应力应变的影响规律.结果表明:当磨盘与单晶硅片接触时,接触区域产生了较大的应力集中,随着转动速度的增加,单晶硅片磨抛表面的等效应力值由983MPa明显增加至1420MPa;磨抛过程中,单晶硅片表面的应力分布从圆心向单晶硅片边缘径向增加;随着摩擦系数由0.3增加至0.8,等效应力最大值由24.4MPa增加至25.3MPa.

关键词：单晶硅、磨抛、应力应变、模拟

所属期刊栏目：7

分类号：TG580.6(金属切削加工及机床)

资助基金：辽宁省重大科技专项《低缺陷半导体硅片研发及产业化》项目2020JH1/10100014

在线出版日期：2023-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4