10.19772/j.cnki.2096-4455.2023.3.009
9路高度集成型二次电源SiP的设计
本文引入一种以HTCC为载体、9路集成、100引针的QFP陶瓷封装型电源SiP,SiP是从封装的立场出发,将多个不同功能的芯片、无源器件等组装到一起,实现一定功能的单个标准封装件,目前电子行业内多以PCB为载体,BGA、LGA、QFN的封装形式为主流.SiP封装的设计可以最大限度地优化产品内部组装密度、缩短开发周期、降低成本.电路的电源输入电压为5.8V~6.2V,输出9路稳定电压,总功率约为38W,工作温度范围为-55℃~125℃,电路设计时采用金属陶瓷全密封封装结构,是一款集成度高、小型化、高可靠性非隔离DC/DC变换器产品.
DC/DC变换器、SiP封装、HTCC工艺、9路输出
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F416.6(世界工业经济)
2023-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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