基于CMOS工艺的芯片ESD设计

摘要：

随着射频电路工作频率不断升高,ESD已经成为影响电路可靠性和射频电路性能的重要因素.针对高速射频电路,设计了高速I/O口ESD防护电路和电源到地的箝位电路,并采用斜边叉指型二极管进行版图和性能优化.采用Jazz 0.18μm SiGe BiCMOS工艺对ESD防护电路进行设计和流片.经过测试得出,ESD保护电压最高可达到3000V.更改二极管叉指数取得更高的ESD防护级别,改进后保护电压最高可达到4500V.文中阐述了ESD防护架构的基本原则,并给出了一种采用CMOS工艺设计应用于IC卡晶片上的防护工作电路.探讨了几个关键设计参数及其对ESD保护电路特性的影响,并做出了物理上的说明.

关键词：CMOS、工艺、IC卡、ESD、保护电路

所属期刊栏目：6

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-05-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：56-59