GaN HEMT微波功率器件的击穿特性研究

摘要：

本文使用TCAD工具对AIGaN/GaN HEMT微波功率器件进行电学仿真,在其基本结构上分别引入栅场板、一重源场板、双重源场板结构,并优化了场板结构,使器件的击穿电压得到了提高.本文对多重场板结构器件的相关参数进行了优化,优化后的栅场板长度为0.25μm、一重源场板长度为0.6μm、二重源场板长度为0.2μm,得到了击穿电压为110V的GaN HEMT微波功率器件,相较于无场板结构提升了22％.

关键词：AIGaN/GaN HEMT、场板结构、击穿特性、TCAD

所属期刊栏目：6

分类号：TN925

在线出版日期：2023-05-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：44-47,56