GaN HEMT微波功率器件的热电子效应及结构优化

摘要：

GaN HEMT微波功率器件目前在5G应用中发挥着重要的作用,但是器件热电子效应导致器件的性能退化已经成了应用中的关键影响因素.本文对AlGaN/GaN HEMT器件进行结构建模和电学特性仿真,研究了其在在不同热电子应力时间下,器件电学特性的退化情况,并且提出一种源场板结构,通过降低栅极下方沟道处的电场峰值,有效抑制热电子效应,从而优化器件性能.

关键词：氮化镓、AlGaN/GaN HEMT、热电子效应、源场板结构

所属期刊栏目：6

分类号：TN6(电子元件、组件)

在线出版日期：2022-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：36-40