AlGaN/GaN HEMT器件的光电特性研究

摘要：

本文采用Silvaco TCAD软件在海威华芯0.25 μm AlGaN/GaN HEMT工艺和设计规则下建立了AlGaN/GaN HEMT的二维仿真模型,对AlGaN/GaN HEMT器件在有/无光照条件下进行了击穿特性的仿真和研究,结果表明器件的光电流可以达到暗电流的4000倍以上;采用脉冲响应法对AlGaN/GaN HEMT器件进行了光电响应速度的仿真,结果表明该器件可实现580Hz光脉冲到电脉冲的转换.因此,本文研究的常规非光电工艺AlGaN/GaN HEMT器件可以用来制作具有内部增益的雪崩型紫外光电探测器.

关键词：AlGaN/GaN HEMT、光电特性、雪崩倍增、光电探测器

所属期刊栏目：6

分类号：TP211+.6(自动化技术及设备)

在线出版日期：2022-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：23-26,40