RAM的现状及发展方向

摘要：

动态随机存取存储器(DRAM)具有低延迟、高带宽的特点,应用于电子器件中的内存芯片.本文综述了DRAM芯片的现状、其面临的挑战和发展前景,介绍了DRAM器件的结构、基本原理和关键功能,还介绍了在工艺制程微缩过程中,科研人员就短沟道效应带来的漏致势垒降低、漏电电流过大、速度饱和、热载流子效应等问题提出的技术解决方案.针对当前DRAM面临的刷新时间过短、电容器可靠性低等问题,介绍了无电容结构DRAM的研究状况.未来对于更高级别的DRAM单元设计,可能在工艺、材料、电路设计等方面做出创新.

关键词：DRAM、半导体存储器、短沟道效应、晶体管

所属期刊栏目：6

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：湖北省高校优秀中青年科技创新团队项目;湖北省高校优秀中青年科技创新团队项目

在线出版日期：2022-09-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4