EKV模型用于有机场效应晶体管电学性能分析

摘要：

有机场效应晶体管(organic field-effect transistor,OFET)因为其柔性和低成本制造的优势而获得关注.为进一步拓展OFET应用,进行OFET为基础的电路设计,对OFET器件的电学性能建模变得重要.本文引入EKV模型对OFET器件的电学性能进行精确的建模,实现了从耗尽区到饱和区的完整栅压范围电学特性描述,相对于传统模型更加准确.

关键词：有机场效应晶体管;EKV模型;迁移率;亚阈值摆幅;耗尽区;饱和区

所属期刊栏目：5

分类号：TN302(半导体技术)

在线出版日期：2022-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：94-95