量子点薄膜晶体管的研究

摘要：

溶液加工法制备的胶体半导体量子点(QD)具有低成本和广泛应用于多种电子和光电器件的潜在优势,但是QD表面用作防止团聚的长链配体反而大大降低了QDTFT的载流子迁移率.论文介绍了量子点的制备和量子点TFT的制备,总结了以硫醇、胺或金属硫族化物对QD表面的长链配体进行交换,向QD活性层掺杂In或Sn以增加载流子,以卤族元素包覆QD钝化QD表面缺陷等方法对量子点TFT的载流子迁移率等性能的改善情况.近年来,量子点薄膜晶体管(QDTFT)作为一种新型纳米器件引起了研究者的广泛关注.

关键词：量子点、薄膜晶体管、迁移率、配体、掺杂

所属期刊栏目：5

分类号：TN321(半导体技术)

在线出版日期：2021-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1-2,7