直流磁控溅射制备氧化铜膜的电学和光学性质

摘要：

在这项研究中,使用螺旋波等离子体通过直流反应磁控溅射法制备了氧化铜薄膜.在O2氛围中用Ar溅射纯铜靶,直流溅射功率在10～40W范围内,其它制造条件保持恒定.利用XRD和XPS研究了溅射功率对所制备薄膜的结构和化学状态的影响.使用AFM来确定薄膜表面形态与其结构之间的关系.通过霍尔效应测试测量了半导体的性能.通过改变直流磁控溅射的功率,可以将氧化铜膜从n型CuO渐变到p型Cu2O.

关键词：直流磁控溅射、氧化铜、溅射功率

所属期刊栏目：4

分类号：TN305.92(半导体技术)

在线出版日期：2020-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：14-15