集成电路高温闩锁效应检测方法研究

摘要：

闩锁效应是CMOS集成电路所固有的寄生效应,效应严重时会导致集成电路烧毁.目前,国内集成电路闩锁效应检测均是在常温条件下进行,无法在实际环境和恶劣条件下对器件进行考核.本文研究并首次提出集成电路高温闩锁效应检测方法,用于考核集成电路的真实闩锁防护能力水平,指导军用集成电路产品闩锁效应检验.研究结果表明,高温条件对复杂逻辑电路的闩锁效应产生明显的恶化,而对简单功能器件的闩锁效应未产生明显影响.

关键词：复杂逻辑电路、高温闩锁效应、恶劣条件、触发

所属期刊栏目：4

分类号：TN707(基本电子电路)

资助基金：装备发展部共性项目;军用集成电路高温动态闩锁检测技术研究

在线出版日期：2020-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：154-157