基于增强型GaN HEMT的48V转1V负载点电源模块设计

摘要：

为进一步提高现有功率变换系统的开关频率,本文基于增强型GaN HEMT器件,设计了一种48V转1V高频负载点开关电源模块电路.该负载点电源采用倍流整流半桥结构和新型栅驱动电路,实现增强型GaN HEMT器件的高速控制,进而实现开关速度的提升.测试结果表明:该负载点电源电路的开关频率超过600KHz,对于10A的驱动电流建立时间为600ns,验证了设计的有效性.

关键词：增强型、GaN HEMT、驱动电路、负载点、电源模块

资助基金：安徽省科技厅2017年重点研究与开发计划1704a0902037;黄山学院校地合作项目2017XDHZ020,2017XDHZ021

在线出版日期：2019-03-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-3,10