介电隔离层化学机械研磨模型的建立方法和仿真

摘要：

在集成电路制造中,随着工艺节点的提升,受光刻成像解析度的限制,光刻焦深越来越小,导致了光刻的工艺窗口的降低,对硅片表面形貌的均匀性要求却越来越高.因此化学机械研磨被越来越多地被应用在表面形貌的平坦化工艺中.在以往的建模过程中,后段工艺因布线的复杂性和材质间差异的问题,而成为首先被考虑的对象.当工艺节点到28nm之后,前段器件制造中的CMP工艺之后的形貌也成为不可忽略的一个因素.一方面,在当层所造成的表面起伏差异导致光刻曝光的问题.另一方面,在多层叠加的效果对后段层次叠加造成的影响也不再可忽视.在本文中,我们将讨论怎样用经典CMP建模的方法对前段介质层特征化,并建立模型.在模型建立完成后,该模型可被用于设计仿真,并探测可能存在的风险点.

关键词：可制造性设计、化学机械研磨、模型、制造前段

在线出版日期：2018-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：83-85