由浅到深谈芯说事

摘要：

三星宣布,加入了11nm 工艺,性能比此前的14nm提升了15％,单位面积的功耗降低了10％.若要遵循摩尔定律继续走下去,未来的半导体技术还会有多大所提升空间呢?10年前我们觉得65nm工艺是极限,因为到了65nm节点二氧化硅绝缘层漏电已经不可容忍.所以工业界搞出了HKMG,用high-k介质取代了二氧化硅,传统的多晶硅-二氧化硅-单晶硅结构变成了金属-highK-单晶硅结构.5年前我们觉得22nm工艺是极限,因为到了22nm沟道关断漏电已经不可容忍.所以工业界搞出了FinFET和FD-SOI,前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力,后者用氧化埋层来减小漏电.现在我们觉得7nm工艺是极限,因为到了7nm节点即使是FinFET也不足以在保证性能的同时抑制漏电.所以工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能.当我们说工艺到了极限的时候,我们其实是在说在现有的结构、材料和设备下到了极限.然而每次遇到瓶颈的时候,工业界都会引入新的材料或结构来克服传统工艺的局限性.当然这里面的代价也是惊人的,每一代工艺的复杂性和成本都在上升.

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在线出版日期：2018-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：52-54