结合先进封装与最新MOSFET技术可满足未来电源供应需求

摘要：

@@ 硅芯片(silicon)及封装技术的进展使得尺寸缩小的产品需要更多的电量,DualCoolTM NexFETTM电源MOSFET结合新一代硅产品技术与能够在标准体积尺寸中达到上端降温(topside cooling)效果的封装,这些技术的结合使得效率、功率密度(power density)及可靠度达到新境界,本文将着重在效能优点方面说明这些新技术.

机标关键词：封装技术、MOSFET、电源、功率密度、产品技术、标准体积、新一代、新境界、新技术、可靠度、硅芯片、power、效能、效率、降温、电量

分类号：U49;U47

在线出版日期：2011-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：56-58