控制闸极蚀刻,垂直比较好!

摘要：

@@ 近年来,利用氮化硅局部电荷储存原理,取代浮停闸(FloatingGate)内存晶胞的研究越来越多.因此关于氮化硅内存部件可靠度的研究也越显得重要.本文着重于研究由闸极蚀刻所引发的形状效应,并且讨论其在NAND数组下所反应出来的部件特性.

机标关键词：控制、氮化硅、形状效应、内存部件、电荷储存、部件特性、可靠度、讨论、数组、蚀刻、取代、局部、晶胞、反应

分类号：TP3;V41

在线出版日期：2010-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：28-29