IGBT设计与制程技术的发展

摘要：

@@ 引言
自绝缘闸双极型晶体管(IGBT)于上世纪80年代面世以来,一直成为中等功率应用中最常用的部件"1,2".IGBT兼具金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的高输入阻抗,以及双极结型晶体管(bipolar junction transistor,BJT)的载流能力,可简化闸极驱动要求,同时增强导通状态性能"3".

机标关键词：IGBT、设计、双极型晶体管、场效应晶体管、金属氧化物、结型晶体管、高输入阻抗、中等功率、载流能力、MOSFET、增强、性能、世纪、驱动、绝缘

分类号：TN3;TM5

在线出版日期：2009-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：45-52