恩智浦推出全球首款低于1Ω、采用Power S08封装的MOSFET

摘要：

@@ 恩智浦半导体(N×PSemiconductors)宣布推出全球首款N通道,1mΩ以下25V MOSFE丁产品,型号为PSMNIR2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数.该产品是迄今为止采用PowerS08封装(无损耗封装:LFPAK)中拥有最低导电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸.

机标关键词：球首、Power、封装、MOSFET、导通电阻、产品、无损耗、半导体、通道、参数、FOM

分类号：TN7;TN6

在线出版日期：2009-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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