英飞凌推出兼具超结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS MOSFET

摘要：

@@ 英飞凌科技日前推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列.有了600V CoolMOS C6系列器件,诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升.

机标关键词：技术、高压器件、优势、半导体场效应晶体管、功率因数校正、金属氧化物、能源转换、能源效率、脉宽调制、高性能、MOSFET、科技、产品、PWM、PFC

分类号：TN4;TN3

在线出版日期：2009-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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